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FilmTek™ 6000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE多模薄膜計(jì)量系統(tǒng)在1x nm設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)和更高的位置為廣泛的薄膜層提供生產(chǎn)驗(yàn)證的薄膜厚度、折射率和應(yīng)力測(cè)量監(jiān)測(cè)。該系統(tǒng)能夠在新一代集成電路的生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的過(guò)程控制，提高器件產(chǎn)量，并支持下一代節(jié)點(diǎn)技術(shù)的開發(fā)。

制造1x nm的IC器件需要使用高度均勻的復(fù)合膜。能夠監(jiān)測(cè)非常薄的薄膜的計(jì)量工具，通常在多層膜堆疊中（例如，高k和氧化物-氮化物-氧化物膜），使制造商能夠保持對(duì)膜構(gòu)建過(guò)程的嚴(yán)格控制。此外，一些工藝，如多重圖案化，會(huì)導(dǎo)致薄膜厚度的梯度，必須對(duì)其進(jìn)行監(jiān)控，以獲得佳器件性能（例如，注入損傷和低k薄膜）。

不幸的是，現(xiàn)有的計(jì)量工具依賴于傳統(tǒng)的橢偏測(cè)量或反射測(cè)量技術(shù)，其檢測(cè)這些應(yīng)用的薄膜梯度變化的能力有限。

為了克服這些挑戰(zhàn)，F(xiàn)ilmTek 6000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE將光譜橢圓偏振儀和DUV多角度極化反射儀與寬光譜范圍相結(jié)合，以滿足與多圖案和其他前沿器件制造技術(shù)相關(guān)的需求。

該系統(tǒng)采用我們多角度差分偏振（MADP）和差分功率譜密度（DPSD）技術(shù)，可獨(dú)立測(cè)量薄膜厚度和折射率，顯著提高其對(duì)薄膜變化的靈敏度，尤其是多層堆疊中的變化。這種組合方法對(duì)于用于復(fù)雜器件結(jié)構(gòu)的超薄和厚膜疊層都是理想的。

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